类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　漏极电流（Id）：16A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

STP16NK25具备多个关键特性，使其在功率开关应用中表现出色。首先，它的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压可达250V，适用于中高功率的开关电源和电机控制电路。此外，该器件的热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，具备优良的雪崩能量吸收能力，从而增强其在高压浪涌环境中的可靠性。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统的响应速度。封装设计上，STP16NK25采用TO-220或D2PAK封装，具备良好的散热性能，便于安装在各种PCB布局中。

STP16NK25广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机控制和负载开关等。在工业自动化设备中，它常用于控制高功率负载的开关操作；在电源适配器中，该器件有助于提高转换效率并减小电源体积；在新能源领域，如太阳能逆变器中，STP16NK25也可用于高频开关控制。
　　由于其高可靠性和耐压能力，该MOSFET也适用于恶劣工作环境中的电源管理应用，如电动工具、家用电器中的马达驱动电路以及汽车电子系统中的电源模块。

STP16NF25, STP14NK25Z, IRFZ44N, IRF840, STP16NK50Z