时间：2025/8/14 11:23:27
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MBR8200DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），适用于高频率、高效整流应用。该器件采用先进的硅技术，具有较低的正向压降和快速的开关特性，适合用于电源转换、整流和续流应用。MBR8200DC采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
最大平均整流电流（Io）：8.0A
正向压降（VF）：典型值1.15V（在8A时）
最大反向漏电流（IR）：0.1mA（在25°C时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
存储温度范围：-65°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MBR8200DC_R2_00001具备多个关键特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低正向压降（典型值1.15V）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。其次，器件的快速开关特性使其适用于高频率应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，MBR8200DC_R2_00001的额定电流为8A，能够承受较大的负载电流，适用于大功率应用。器件的最大反向电压为200V，可在较高电压环境下稳定工作，具有良好的抗电压冲击能力。
该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。此外，MBR8200DC_R2_00001的结构设计使其具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于严苛的工作环境。
MBR8200DC_R2_00001广泛应用于各类电源系统和电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于输出整流、续流和隔离式DC-DC转换器中的整流环节。由于其高电流能力和快速响应特性，它也非常适合用于电池充电器、逆变器、电机驱动系统和不间断电源（UPS）系统。此外，该器件还可用于工业自动化设备、汽车电子系统和通信设备中的电源管理部分。
MBR8200CT、MBR8200PT、SB8200、MBR8U200CTR
