STP16N65M5 时间：2025/7/23 16:53:30 阅读：4

STP16N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MDmesh M5技术，专为高效率电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高击穿电压（650V）以及优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、照明系统以及电机控制等高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
　　最大栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 3.5V
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK、TO-247

特性

STP16N65M5采用了ST先进的MDmesh M5技术，具有显著降低的导通和开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　该器件的RDS(on)典型值为0.25Ω，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，减少发热并提高系统可靠性。
　　其650V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用，如PFC（功率因数校正）电路和工业电源系统。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高功率密度设计中提供出色的热性能，延长使用寿命。
　　内置的快速恢复体二极管有助于减少反向恢复损耗，提高开关性能，适用于高频开关应用。
　　该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了在极端工作条件下的稳定性和耐用性。

应用

STP16N65M5广泛应用于各类功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、高可靠性的电源转换设备。
　　常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器、UPS不间断电源系统等。
　　该器件也适用于工业自动化控制系统中的电机驱动和电源管理模块。
　　在新能源领域，STP16N65M5可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换电路中，以提高能源转换效率。
　　由于其良好的高频开关性能，也适用于高频DC-DC转换器和ZVS/ZCS拓扑结构的设计中。
　　此外，该MOSFET还广泛用于家电电源模块，如微波炉、洗衣机、空调等家电设备中的功率控制部分。