FSD9435是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的双N沟道功率MOSFET器件,主要用于高效率电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用场景。FSD9435采用8引脚DFN封装,体积小巧,散热性能良好,能够在较高的开关频率下保持稳定工作。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.5A(单通道)
导通电阻(RDS(on)):15mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on)):22mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD):3.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:8-DFN
FSD9435的主要特性包括:
1. 低导通电阻:FSD9435在VGS=10V时,RDS(on)仅为15mΩ,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。这使得它非常适合用于高频率开关应用,如同步整流、DC-DC降压/升压变换器等。
2. 高集成度:该器件将两个N沟道MOSFET集成在一个封装中,节省了PCB空间,提高了设计灵活性。这种双MOSFET结构非常适合用于H桥电机驱动、双向负载开关等场合。
3. 优良的热性能:采用8-DFN封装,具有良好的热传导性能,能够有效散热,确保在高负载条件下仍能稳定工作。其低热阻特性使得器件在高电流运行时温度上升较小。
4. 宽工作温度范围:支持-55°C至150°C的工作温度范围,适应各种恶劣环境,适用于工业级和汽车电子应用。
5. 栅极驱动兼容性:FSD9435的栅极驱动电压范围较宽,可在4.5V至20V之间工作,兼容常见的逻辑电平驱动电路,便于与控制器或驱动IC配合使用。
6. 高可靠性:内部结构采用先进的沟槽式MOSFET技术,增强了器件的耐用性和长期稳定性,降低了故障率。
FSD9435广泛应用于以下领域:
1. 电源管理:如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关等,特别是在高效率和高集成度要求的电源模块中。
2. 电机控制:可用于H桥电机驱动电路,实现双向电机控制,适用于机器人、自动化设备和电动工具等。
3. 电池供电系统:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源开关和负载管理。
4. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的继电器替代、固态开关、传感器电源控制等。
5. 汽车电子:适用于车载电源管理系统、电动窗控制、LED照明驱动等应用,满足汽车电子对可靠性和温度范围的严格要求。
Si9435BDY-T1-E3, TPS2R200, FDS9435A, FDS9436A