时间：2025/5/24 11:56:23
阅读：4
STP160N75F3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压和高电流应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。
STP160N75F3的设计旨在提供高效能的功率转换解决方案，其快速开关特性和低损耗使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：STP160N75F3
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vds)：750V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
脉冲漏极电流(Ip)：80A
导通电阻(Rds(on))：0.9Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围(TJ)：-55°C至+150°C
STP160N75F3具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（750V），能够承受高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（0.9Ω），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能，适合高频开关电路。
4. 较高的电流承载能力（16A连续漏极电流），满足大功率需求。
5. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
6. 具备过流保护功能，提高系统的安全性。
7. TO-220标准封装形式，易于安装和散热设计。
STP160N75F3广泛应用于各种电力电子设备中，具体包括：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制，如家用电器中的风扇、泵浦等。
3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 照明领域，例如LED驱动电源。
6. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)以及车载充电器。
7. 各种需要高性能功率转换的场合。
STP16NF75, IRF740
