时间：2025/5/10 8:42:46
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MJD3055T4G是一款NPN型晶体管，属于大功率晶体管系列。它通常用于高电流开关应用和线性放大器中。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（Vce）和较大的集电极电流（Ic），能够在高频和高压环境下稳定工作。
其封装形式为TO-220FP，这种封装有助于提高散热性能，适合需要良好散热的功率应用场合。
最大集电极电流Ic：15A
集电极-发射极击穿电压Vce：60V
发射极-基极击穿电压Veb：5V
集电极-基极击穿电压Vcb：70V
直流电流增益hFE：最小值20，典型值60
总耗散功率Ptot：115W（在Ta=25℃时）
存储温度范围：-55℃至150℃
MJD3055T4G具有以下主要特性：
1. 高电流处理能力，适用于驱动大功率负载。
2. 较高的击穿电压确保在高压环境下的可靠性。
3. 典型的直流电流增益使其适合于开关和线性应用。
4. TO-220FP封装设计增强了散热性能，适合长时间高功率运行。
5. 广泛的工作温度范围，适应多种极端环境条件。
这款晶体管广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的开关元件。
2. 电机控制电路中的驱动器件。
3. 线性放大器中的功率放大级。
4. 各类保护电路，如过流保护、短路保护等。
5. 在音频功放设备中作为输出级驱动元件。
MJD3055, TIP3055, 2N3055
