类型：DDR3 SDRAM
　　容量：1Gb (128M x 8 / 64M x 16)
　　封装形式：TSOP II
　　引脚数：96-pin
　　工作电压：1.35V ~ 1.5V (VDD, VDDQ)
　　输入/输出逻辑：SSTL_15
　　最大频率：800MHz (等效1600Mbps数据速率)
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动与自刷新
　　突发长度：BL8, BC4 with Fly-by Write
　　访问时间：约10ns - 15ns（取决于时序配置）
　　组织结构：64Mx16 或 128Mx8 可选

K4T51163QC-ZCCC 具备多项先进的DDR3内存技术特性，确保在各类应用中实现高效、稳定的数据处理能力。首先，该芯片支持双倍数据速率架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可进行数据传输，使有效数据速率达到1600Mbps，极大地提升了系统带宽利用率。其次，它采用了8位预取架构（8-bit prefetch），这是DDR3的核心技术之一，通过内部并行读取8位数据再串行输出的方式，优化了核心阵列与I/O之间的速度匹配问题，提高了整体性能效率。
　　该器件具备多种省电模式，包括待机模式、预充电电源-down模式、活动电源-down模式以及深度掉电模式，允许系统根据实际负载动态调节功耗，特别适合电池供电或热敏感环境下的应用。此外，K4T51163QC-ZCCC 支持可编程CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）、行预充电时间（tRP）等关键时序参数，增强了与不同主控芯片的兼容性和灵活性。
　　为了提高信号完整性，该芯片设计有片上终端电阻（ODT, On-Die Termination），可在读写操作期间启用内部匹配阻抗，减少信号反射和噪声干扰，尤其在高频运行下表现优异。同时，其采用飞线写入（Fly-by Write）命令布局，配合地址/命令总线的菊花链布线方式，进一步提升了高速信号的稳定性。另外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下维持数据完整性，确保长时间工作的可靠性。
　　K4T51163QC-ZCCC 还集成了模式寄存器（Mode Register Set, MRS），允许用户配置突发长度、突发类型、写入突发模式等操作参数。其TSOP II封装虽然为传统封装形式，但具备良好的散热性能和焊接可靠性，便于在现有PCB设计中替换升级。整体而言，该芯片在性能、功耗与成本之间实现了良好平衡，是许多中低端嵌入式系统的理想选择。

K4T51163QC-ZCCC 主要应用于对成本敏感且需要适度内存带宽的电子系统中。常见用途包括家用消费电子产品，如数字机顶盒、智能电视、DVD播放器和网络媒体盒子，这些设备通常需要运行轻量级操作系统并处理音视频流数据，该芯片提供的1600Mbps传输速率足以满足其多任务处理需求。在办公自动化领域，该芯片被广泛用于激光打印机、多功能一体机和扫描仪等外设产品中，用于缓存打印作业、图像数据和固件运行空间。
　　在网络通信设备方面，路由器、交换机、IP摄像头和家庭网关也常采用此款DRAM作为系统内存，以支持TCP/IP协议栈处理、数据包缓冲和实时视频编码等功能。工业控制系统中，如PLC控制器、HMI人机界面和远程数据采集模块，也会使用该芯片来保障程序执行的稳定性和响应速度。
　　此外，部分教育类平板电脑、电子书阅读器以及车载信息娱乐系统（IVI）同样采用K4T51163QC-ZCCC，因其具备可靠的长期供货能力和稳定的电气特性。尽管随着LPDDR4和DDR4的普及，高端市场已逐步转向更高性能的内存方案，但在成熟量产项目和生命周期较长的产品中，该型号仍具有较强的竞争力和应用价值。

K4B1G1646F-BCK0
　　MT41K128M16JT-15E
　　IS43TR16256A-15DBI