STP10NB50FP 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高耐压、高电流和低导通电阻的应用场景。该器件采用TO-220FP封装,具备良好的散热性能,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高功率应用领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):40A
导通电阻(Rds(on)):0.55Ω(最大值)
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220FP
STP10NB50FP 具备多项优良特性,使其适用于高功率和高可靠性要求的电路设计。首先,其漏源电压高达500V,能够在高压环境下稳定工作;其次,最大连续漏极电流为10A,支持较高的功率输出能力。此外,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为0.55Ω,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
在封装方面,STP10NB50FP采用TO-220FP封装,具备良好的热管理和散热能力,适用于需要长时间高负载运行的场合。该器件还内置了快速恢复二极管(Fast Recovery Diode),可有效减少开关过程中的能量损耗,提高整体效率。
此外,STP10NB50FP具备较强的抗雪崩能力(Avalanche Capability),能够在瞬态高压下保持稳定运行,适用于工业自动化、电源转换、马达驱动等高可靠性应用。其栅极驱动电压范围宽,兼容标准逻辑电平,便于与多种控制器或驱动电路配合使用。
STP10NB50FP 主要用于高功率开关应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机控制、LED驱动电源、工业自动化设备以及电源管理系统。在电源适配器、充电器、变频器和智能电网设备中,该MOSFET可作为主开关器件使用,实现高效能的能量转换。
由于其高耐压和较强的导通能力,STP10NB50FP也常用于照明系统中的高频镇流器和LED恒流驱动电路。在电机控制方面,该器件可用于H桥电路驱动直流电机或步进电机,实现精确的速度和方向控制。此外,该MOSFET也适用于家电中的电源管理模块,例如微波炉、洗衣机和空调的变频控制电路。
STP12NM50ND, STP8NK50Z, IRFBC20, FQA10N50C