STP100NF04L 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于电源管理、电机控制、电池充电系统和DC-DC转换器等场景。STP100NF04L 采用了PowerFLAT 5x6封装技术,具有良好的热性能和空间利用率,非常适合在紧凑型设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):100A
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大5.3mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):典型值为26nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
STP100NF04L 功率MOSFET具有多项优良特性,使其在高性能电源系统中表现出色。
首先,该器件的低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体能效。其最大Rds(on)为5.3mΩ,在Vgs=10V条件下可实现高效的大电流传输。
其次,STP100NF04L 具有高电流承载能力,额定漏极电流高达100A,适合需要大功率输出的应用,如电动工具、电源适配器和电机驱动器。
此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,典型值为26nC,有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。
在封装方面,STP100NF04L 使用了PowerFLAT 5x6封装,具备良好的热管理性能,能够有效散热,提升器件的可靠性和长期稳定性。这种封装形式也节省了PCB空间,适用于紧凑型电子产品设计。
最后,STP100NF04L 的工作温度范围为-55°C至175°C,适用于各种恶劣工作环境,包括工业控制、车载电子和消费类电子产品。
STP100NF04L 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 电源管理:如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流电路等,用于提高电源转换效率。
2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制系统中作为功率开关器件,提供高效率和高可靠性。
3. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路,确保电池安全高效运行。
4. 电动工具和无人机:作为高效功率开关,支持高电流负载的快速响应和稳定运行。
5. 工业自动化设备:在工业控制模块中用于电源切换和负载管理。
6. 汽车电子:适用于车载充电系统、电机控制模块等对可靠性和耐温性能有高要求的场合。
IRF1010E, FDP100N04A, IPP100N04S4-03