时间：2025/8/4 23:32:14
阅读：18
STN8205AS6-TRG是一款双N沟道增强型MOSFET，常用于高侧和低侧开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻。
类型：双N沟道MOSFET
漏极电流：3A
漏极电压：20V
导通电阻（RDS(on)）：26mΩ @ VGS = 4.5V
栅极电压范围：1.8V - 8V
工作温度范围：-55°C - 150°C
STN8205AS6-TRG具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电源管理应用。该器件采用SOT23-6封装，节省空间并提供良好的热性能。MOSFET的高效率和可靠性使其在电池供电设备中表现出色。此外，该器件具有较低的栅极电荷，减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。其设计支持同步整流和负载开关应用，适用于便携式电子设备和电源管理系统。
该MOSFET的双N沟道结构允许其在高侧和低侧开关配置中使用，提供灵活的设计选项。其先进的沟槽技术提高了器件的导电性能，并减少了功耗。STN8205AS6-TRG还具有良好的热稳定性和高耐用性，确保在各种工作条件下可靠运行。
STN8205AS6-TRG广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和同步整流电路。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P
