齐纳电压 Vz：8.2V
　　最大齐纳电流 Izmax：200mA
　　额定功耗 Pd：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323（SC-76）
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流 Ir（@ Vr）：100nA（典型值）

LMTZJ8.2A 齐纳二极管具有多种优良的电气和机械特性。其主要特点包括紧凑的SOD-323封装，适用于表面贴装技术，从而提高生产效率和节省PCB空间。该器件的齐纳电压为8.2V，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压调节性能。此外，LMTZJ8.2A 的功耗为300mW，可支持最大200mA的齐纳电流，适用于中等功率调节应用。
　　在电气特性方面，该齐纳二极管具有较低的反向漏电流（通常在100nA以下），有助于减少电路中的静态功耗和能量损耗。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和汽车电子环境。此外，LMTZJ8.2A 还具备良好的瞬态响应能力，能够在电压波动时快速调整，确保电路的稳定运行。
　　由于其优良的温度稳定性和封装设计，LMTZJ8.2A 可广泛用于电源管理、参考电压源、过压保护和信号调节等应用。其SOD-323封装也使其易于集成到高密度PCB设计中，满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

LMTZJ8.2A 主要用于需要电压调节和参考电压源的电路设计。例如，在电源管理电路中，该器件可作为基准电压源，用于提供稳定的参考电压，确保电源模块的正常工作。在模拟电路中，LMTZJ8.2A 可用于稳压和信号调节，提高系统的精度和可靠性。
　　此外，该齐纳二极管也广泛应用于过压保护电路中，防止因瞬态电压波动导致的元件损坏。在通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中，LMTZJ8.2A 可作为电压钳位器件，保护敏感的IC和传感器不受过高电压的影响。
　　由于其良好的温度稳定性和紧凑的封装，LMTZJ8.2A 也适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些应用中，该器件能够有效管理电源分配，确保设备在不同工作条件下的稳定运行。

BZV55-C8V2, MMSZ5237B, 1N4736A