H8YCZ0CI0MAR-3YD-C 是一款由知名半导体厂商生产的高性能存储芯片,主要应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备高容量、低功耗和高可靠性的特点,能够满足现代电子产品对数据存储的严格要求。其设计优化了读写速度和能耗表现,同时支持多种工作环境下的稳定运行。
类型:NOR Flash
容量:256Mb
接口:SPI
电压范围:2.7V 至 3.6V
工作温度:-40℃ 至 +85℃
封装形式:WSON16
数据保留时间:>20年
擦写次数:100,000次
H8YCZ0CI0MAR-3YD-C 提供了卓越的数据存储解决方案。
1. 高速读写性能:通过优化的内部架构设计,实现了更快的数据传输速率。
2. 超低功耗:待机模式下的电流消耗极低,延长了电池供电设备的使用寿命。
3. 稳定性强:经过严格测试,在极端温度条件下仍能保持正常工作。
4. 安全机制:内置硬件保护功能,防止未经授权的访问或篡改数据。
5. 小型化封装:采用节省空间的封装技术,非常适合紧凑型设计需求。
这款芯片广泛适用于各种需要非易失性存储的应用场景,包括但不限于:
1. 消费类电子产品:如数码相机、智能手表和家用路由器等。
2. 工业自动化:为PLC控制器、人机界面等提供可靠的代码存储。
3. 通信设备:用于基站模块、网络交换机中的固件存储。
4. 汽车电子:仪表盘、娱乐系统以及辅助驾驶系统的程序存储方案。
H8YCZ0CI0MAR-3XD-E, H8YCZ0CI0MBR-3YD-C