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MA0201XR152M100 发布时间 时间:2025/7/8 16:17:40 查看 阅读:13

MA0201XR152M100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
  这款器件为 N 沟道增强型 MOSFET,其设计特别适合需要高效率和低损耗的应用场景。通过优化的封装形式和内部结构,MA0201XR152M100 在散热性能和电气性能之间取得了良好的平衡。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:ton=8ns, toff=15ns
  功耗:180W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流应用中的高效性能。
  2. 高速开关能力,适用于高频功率转换器。
  3. 内置过温保护功能,增强了系统的可靠性。
  4. 小型化封装,便于 PCB 布局和节省空间。
  5. 优秀的热性能,支持长时间稳定运行。
  6. 具备出色的 ESD 和浪涌防护能力,适应恶劣的工作环境。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率开关。
  2. DC-DC 转换器的核心元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级组件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电动汽车电池管理系统 (BMS) 的功率控制模块。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率处理单元。

替代型号

IRF3710, FDP55N06L, AOT291L

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