MA0201XR152M100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
这款器件为 N 沟道增强型 MOSFET,其设计特别适合需要高效率和低损耗的应用场景。通过优化的封装形式和内部结构,MA0201XR152M100 在散热性能和电气性能之间取得了良好的平衡。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:ton=8ns, toff=15ns
功耗:180W
结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流应用中的高效性能。
2. 高速开关能力,适用于高频功率转换器。
3. 内置过温保护功能,增强了系统的可靠性。
4. 小型化封装,便于 PCB 布局和节省空间。
5. 优秀的热性能,支持长时间稳定运行。
6. 具备出色的 ESD 和浪涌防护能力,适应恶劣的工作环境。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车电池管理系统 (BMS) 的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率处理单元。
IRF3710, FDP55N06L, AOT291L