时间：2025/11/8 8:39:59
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2SB1132是Rohm（罗姆）公司生产的一款P沟道功率MOSFET晶体管，常用于电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备以及负载开关等应用中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻和高可靠性等特点，适合在紧凑型电子设备中实现高效的功率控制。其封装形式为SOT-23（小型表面贴装封装），便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的热性能与电气性能。2SB1132广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、无线模块及工业控制设备中。
该型号的后缀可能表示不同的电压等级或包装规格，例如FD5T100R可能是特定卷带包装或符合AEC-Q101标准的汽车级版本。它能够在较低的栅极驱动电压下工作，兼容3.3V或5V逻辑电平，因此可以直接由微控制器或其他数字IC进行控制，无需额外的电平转换电路。此外，该器件具有低漏电流和快速开关响应能力，在节能设计中表现出色。
类型：P沟道MOSFET
极性：P-Channel
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-4.6A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：-12A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs = -4.8V
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = -2.5V
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：1020pF @ Vds=10V
开关时间（开启）：17ns
开关时间（关闭）：25ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT-23
2SB1132 FD5T100R具备出色的电性能和稳定性，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -4.8V时仅为35mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其Rds(on)仍能保持在45mΩ左右，展现出优异的低压驱动能力，使其适用于由低电压微控制器直接驱动的应用场景，避免了复杂的驱动电路设计。
该器件采用先进的沟槽型MOSFET结构，优化了载流子流动路径，提高了单位面积的电流承载能力，并有效减小了芯片尺寸，从而实现了高性能与小型化的平衡。其输入电容（Ciss）为1020pF，在同类产品中处于合理水平，确保了较快的开关速度和较低的驱动功耗。开关时间方面，开启时间为17ns，关断时间为25ns，表明其具备良好的高频开关特性，可用于高频DC-DC变换器中以提高转换效率并减小外部元件体积。
热性能方面，尽管采用SOT-23小封装，但通过优化封装材料和内部连接工艺，2SB1132仍可承受高达150°C的结温，工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，满足工业级甚至部分汽车级应用需求。此外，器件具有较强的抗静电能力（ESD保护）和稳健的栅氧化层设计，提升了长期使用的可靠性。RoHS合规且无卤素，符合现代环保要求。
2SB1132 FD5T100R广泛应用于需要高效、低功耗功率开关的场合。典型用途包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制、背光驱动电路或外设电源开关。由于其支持逻辑电平驱动，常被用作微控制器GPIO引脚的扩展开关，用于控制LED、传感器、Wi-Fi/蓝牙模块等负载的通断，实现节能待机功能。
在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用作同步整流器或低端开关，尤其适用于降压（Buck）转换器的续流路径，利用其低Rds(on)减少能量损耗，提升转换效率。此外，在热插拔电路或电源多路复用系统中，2SB1132也可作为理想的负载开关，提供过流保护和软启动功能的基础支持。工业自动化设备、测量仪器以及医疗便携设备中也常见其身影，用于精密电源控制和信号切换。
得益于其小型化封装和高可靠性，该器件特别适合空间受限的高密度印刷电路板（PCB）设计，如穿戴式设备、物联网节点和无线传感器网络终端。同时，汽车电子中的车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统电源管理等非主驱应用也开始采用此类高性能小信号功率MOSFET，以提升系统的集成度与能效表现。
Si3456DV,DMG2302UK,FDMS8878Z,FDC638P
