时间：2025/5/7 13:40:25
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STN1HNK60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沣道通态 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
类型：N-channel MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
连续漏极电流 Id：28A
导通电阻 Rds(on)：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷 Qg：49nC
输入电容 Ciss：2780pF
输出电容 Coss：235pF
反向恢复时间 Tr：12ns
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
STN1HNK60 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频应用需求。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备良好的鲁棒性。
4. 热稳定性强，适合在宽广的工作温度范围内使用。
5. 封装牢固可靠，便于散热设计和自动化生产。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
STN1HNK60 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
5. 各类工业自动化设备中的负载切换。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
STP12NK60, IRFZ44N
