时间：2025/5/7 10:53:43
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IKW50N65ES5 是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET芯片，属于CoolMOS?系列。该器件采用了先进的超结技术，能够显著降低导通和开关损耗，从而提升效率并适用于高功率密度的应用场景。
这款MOSFET设计为N沟道增强型，额定电压为650V，最大连续漏极电流可达50A。其出色的性能使其非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业应用等领域。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷：78nC（典型值）
输入电容：2040pF（典型值）
总功耗：325W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IKW50N65ES5 的主要特性包括：
1. 超低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 栅极电荷较低，有助于降低开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，具备快速恢复时间，减少能量损失。
4. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
5. 高雪崩能力，增强了在异常情况下的鲁棒性。
6. 封装形式为TO-247-3，便于散热管理。
IKW50N65ES5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，例如电信电源和服务器电源。
3. 电机驱动电路，特别是大功率电机控制。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的高频功率开关组件。
6. 电动车及混合动力车相关的电力电子系统。
IKW50N65E5, IPP50N250P5, IRFP260N
