STM8L151K4T6TR器件是STM8L系列超低功耗8位系列的成员。中等密度STM8L151K4T6TR的工作电压为1.8 V至3.6 V(断电时降至1.65 V),可在-40至+85°C和-40至+125°C温度范围内使用。中等密度STM8L151K4T6TR超低功耗系列具有增强型STM8 CPU内核,可提供更高的处理能力(在16 MHz时可达16 MIPS),同时保持CISC架构的优势,具有改进的代码密度、24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。
STM8L151K4T6TR包括带有硬件接口(SWIM)的集成调试模块,允许非侵入式应用程序内调试和超快闪存编程。中等密度STM8L151K4T6TR微控制器均采用嵌入式数据EEPROM和低功耗、低电压、单电源程序闪存。它们包含大量增强的I/O和外围设备。外围设备组的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列(包括32位系列)中找到相同的外围设备。这使得向不同家族的任何转换都非常容易,并且通过使用一组通用的开发工具而更加简化。建议使用28至48个引脚的六种不同封装。根据选择的设备,包括不同的外围设备集。所有STM8L151K4T6TR超低功耗产品都基于相同的架构,具有相同的内存映射和一致的引脚输出。
操作条件
–工作电源范围1.8 V至
3.6 V(断电时降至1.65 V)
–温度范围:-40°C至85、105或125°C
低功耗功能
–5种低功率模式:等待、低功率运行
(5.1μA),低功耗等待(3μA)、带全RTC的主动停止(1.3μA)和停止(350 nA)
–功耗:195μA/MHz+440μA
–每I/0:50 nA的超低泄漏
–从暂停中快速唤醒:4.7μs
高级STM8核心
–哈佛架构和三级管道
–最大频率16 MHz,16 CISC MIPS峰值
–多达40个外部中断源
重置和供应管理
–低功耗、超安全BOR复位,具有5个可选阈值
–超低功率POR/PDR
–可编程电压检测器(PVD)
时钟管理
–1至16 MHz晶体振荡器
–32 kHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC
–内部38 kHz低功耗RC
–时钟安全系统
低功耗RTC
–BCD日历,带报警中断
–从暂停自动唤醒,带周期性中断
LCD:最多4x28段,带升压转换器
记忆
–高达32 KB的闪存程序内存
和1K字节的数据EEPROM,带ECC、RWW
–灵活的写和读保护模式
–高达2 KB的RAM
商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | 32-LQFP(7x7) | 包装 | 圆盘 |
核心处理器 | STM8 | 内核规格 | 8 位 |
速度 | 16MHz | 连接能力 | I2C,IrDA,SPI,UART/USART |
外设 | 欠压检测/复位,DMA,IR,POR,PWM,WDT | I/O数 | 30 |
程序存储容量 | 16KB(16K x 8) | 程序存储器类型 | 闪存 |
EEPROM容量 | 1K x 8 | RAM大小 | 2K x 8 |
电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 22x12b; D/A 1x12b |
振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM8 |
HTSUS | 8542.31.0001 | 产品应用 | 超低功耗MCU |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) | ECCN | EAR99 |
RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM8L151K4T6TR原理图
STM8L151K4T6TR引脚图
STM8L151K4T6TR封装
STM8L151K4T6TR丝印
STM8L151K4T6TR料号解释