电容值：470000pF（470nF）
　　容差：±80%
　　额定电压：25V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　温度范围：-55°C ~ 125°C
　　电介质特性：高介电常数
　　损耗角正切（tanδ）：通常小于0.025
　　绝缘电阻：最小10000MΩ

THCR40E2A474ZT 采用X7R电介质，具有良好的温度稳定性和较低的损耗，适用于各种通用和高性能应用场景。由于其±80%的容差范围，该电容器适合在对容差要求不太严格的电路中使用。其额定电压为25V，能够在较高电压环境下稳定工作，同时具备良好的耐压能力。
　　该电容器的封装尺寸为1210（3225公制），在PCB布局中占用的空间适中，既能满足高密度设计需求，又不会因为尺寸过小而影响焊接可靠性。THCR40E2A474ZT 的工作温度范围为-55°C至125°C，适用于大多数工业和消费类电子设备。
　　此外，该电容器具有良好的自愈特性，在发生局部击穿时能够自动恢复，从而延长了电容器的使用寿命。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其在低功耗和高稳定性要求的电路中表现出色。这些特性使得THCR40E2A474ZT成为一种性价比高且可靠的电容器选择。

THCR40E2A474ZT 常用于各种电子设备中的去耦和滤波电路，例如电源管理模块、DC-DC转换器和音频放大器。在通信设备中，该电容器可用于信号滤波和稳压，以确保信号的稳定性和清晰度。工业控制设备中，它可以用于保护电路免受电压波动的影响，提高系统的稳定性。
　　此外，THCR40E2A474ZT 还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源去耦和信号处理。在汽车电子系统中，例如车载娱乐系统和传感器模块，该电容器能够提供可靠的电气性能，确保设备在各种环境条件下正常运行。

TDK C4532X5R1H474K