时间：2025/6/29 3:52:58
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GFP60N03是一款N沟道功率MOSFET，主要用于高频开关应用和功率转换电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
其封装形式通常为TO-220，便于散热和安装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率控制的场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：160W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
栅极电荷(Qg)：19nC
输入电容(Ciss)：2280pF
反向恢复时间(trr)：75ns
1. 低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩耐量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 封装具备良好的散热性能，确保长时间稳定运行。
5. 提供卓越的电气特性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)设计，如适配器和充电器。
2. 电机驱动和控制，包括家用电器中的小型电机。
3. DC-DC转换器，用于电池供电设备和汽车电子。
4. 负载切换和保护电路，例如服务器和通信设备中的功率管理。
5. 各种工业自动化和消费类电子产品中的功率开关组件。
IRF640N
STP60NF06
FDP60N03L
