时间：2024/4/9 15:52:48
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STM32L4S7AII6采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核的超低功耗微控制器系列(STM32L4+系列)。它们的工作频率高达120 MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm?单精度数据处理指令和所有数据类型。Cortex-M4内核还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32L4S7AII6嵌入了高速存储器(2M字节的闪存和640 KB的SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(用于100引脚及以上封装的设备)、两个OctoSPI闪存接口(所有封装上都可用)以及连接到两个APB总线的大量增强型I/O和外围设备，两个AHB总线和32位多AHB总线矩阵。STM32L4S7AII6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。
STM32L4S7AII6提供快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。此外，最多可提供24个电容感测通道。它们还具有标准和高级通信接口，例如：四个I2C、三个SPI、三个USART、两个UART和一个低功耗UART、两个SAI、一个SDMMC、一个CAN、一个USB OTG全速、一个摄像头接口和DMA2D控制器。
FlexPowerControl超低功耗
—1.71 V ~ 3.6 V电源
- -40°C至85/125°C温度范围
-批量采集模式(BAM)
—VBAT模式下305na:供RTC和
32x32位备份寄存器
- 33na关机模式(5个唤醒引脚)
- 125 nA待机模式(5个唤醒引脚)
- 420 nA RTC待机模式
—2.8 μA带RTC Stop 2
—110 μA/MHz运行模式
-从停止模式唤醒5μs
—除关机模式外，所有模式下的BOR (Brownout reset)
-互连矩阵
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存，频率高达120兆赫，
MPU, 150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，和DSP指令
性能基准
- 1.25 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
- 409.20 CoreMark(3.41 CoreMark/MHz @120 MHz)
能源基准
- 233 ULPMarkCP评分
- 56.5 ULPMarkPP评分
时钟源
- 4至48 MHz晶体振荡器
- 32 kHz晶体振荡器用于RTC (LSE)
-内部16mhz工厂修剪RC(±1%)
-内部低功率32 kHz RC(±5%)
-内部多速100 kHz至48 MHz
振荡器，LSE自动调整(优于±0.25%精度)
-内部48兆赫时钟恢复
- 3个锁相环用于系统时钟，USB，音频，ADC
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 169-UFBGA（7x7） | 核心处理器 | ARM Cortex-M4 |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 120MHz |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPI，UART/USART，USB OTG | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 140 | 程序存储容量 | 2MB（2M x 8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 640K x 8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
| 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32L4S7 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 产品应用 | 超低功耗MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 5A992C |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32L4S7AII6原理图
STM32L4S7AII6引脚图
STM32L4S7AII6封装
STM32L4S7AII6丝印
STM32L4S7AII6料号解释
