时间：2025/6/21 22:11:32
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RT15N160F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的电路中。
其封装形式为 TO-247，能够提供良好的散热性能，适合大功率应用场合。
最大漏源电压：160V
最大连续漏极电流：电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
开关频率：高达 100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
RT15N160F500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，使其适用于工业级大功率应用。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少磁性元件体积。
4. 出色的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠运行。
5. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在异常条件下的生存能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
该功率 MOSFET 常用于以下领域：
1. 工业电机控制和变频器。
2. 大功率 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS)。
3. 新能源领域的逆变器和电池管理系统 (BMS)。
4. 不间断电源 (UPS) 和服务器电源模块。
5. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器及辅助电源。
6. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
RT15N160E500CT, IRFP260N, STW80NM50
