容量：128K × 8位
　　组织结构：131,072字节
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　工作电流：典型值为25mA（读取模式）
　　待机电流：最大值为10μA（掉电模式）
　　访问时间：最高支持70ns、90ns等速度等级
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin TSOP Type II 或 44-pin SOP
　　数据保持电压：最低1.5V
　　数据保持电流：典型值低于10μA
　　写保护功能：支持全局写保护机制

MB43836采用先进的CMOS工艺制造，具备优异的电气性能和稳定性，能够在宽温度范围内长期可靠运行。其高速访问能力支持最短70纳秒的地址访问时间，确保在高频率操作下仍能保持数据完整性与响应速度，适用于对实时性要求较高的系统。芯片内部集成全静态设计，无需刷新操作，简化了系统控制逻辑，降低了设计复杂度。
　　该器件支持低功耗管理模式，当片选信号CE1或CE2处于非激活状态时，自动进入低功耗待机模式，显著减少系统空闲时的能耗，非常适合电池供电或绿色节能型设备。同时，MB43836具备双片选控制（CE1和CE2），允许灵活的片外寻址和电源管理策略，提升多芯片系统的集成效率。
　　输入输出引脚完全兼容TTL电平，可直接与主流微处理器、DSP和ASIC接口对接，无需额外电平转换电路，节省成本并提高系统集成度。所有控制信号均采用先写后读（Write-After-Read）冲突避免机制，防止总线竞争导致的数据损坏。芯片还内置抗闩锁设计和高噪声抑制能力，增强了在电磁干扰较强环境中的鲁棒性。
　　MB43836在制造过程中遵循严格的品质控制流程，通过了多项工业级可靠性认证，包括高温老化测试、温度循环测试和高压蒸煮试验，确保在严苛应用条件下仍具有长寿命和高良率。此外，其封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品环保要求。

MB43836广泛应用于各类需要中等容量、高速静态存储的电子系统中。常见于通信基础设施设备，如宽带接入设备、DSL调制解调器、网络交换机和路由器，用于缓存路由表、报文缓冲和协议处理中间数据。在工业自动化领域，该芯片被用作PLC控制器、人机界面（HMI）和远程I/O模块的数据暂存单元，支持快速响应和实时控制任务。
　　在测试与测量仪器中，例如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪，MB43836可用于高速采集数据的临时存储，保障信号不失真地传递至主处理器进行分析。医疗设备如监护仪、超声成像系统也采用此类SRAM来保存关键运行参数和临时图像帧数据。
　　此外，在汽车电子系统中，该芯片适用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）控制模块以及车身控制单元，提供可靠的本地存储能力。消费类电子产品如高端打印机、POS终端和智能家居网关同样利用MB43836实现高效的数据处理与缓冲功能。其工业级温度特性和高可靠性使其成为恶劣环境下嵌入式系统的理想选择。