时间：2024/4/9 16:10:42
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STM32H7系列STM32H757ZIY6TR采用高性能Arm?Cortex?-M7和Cortex?M4 32位RISC内核。Cortex?-M7内核的工作频率高达480 MHz，Cortex?M4内核的工作速度高达240 MHz。这两个内核都具有浮点单元(FPU)，支持Arm?单精度和双精度(Cortex?-M7内核)操作和转换(符合IEEE 754)，包括一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU)，以增强应用程序的安全性。 STM32H757ZIY6TR包含高速嵌入式存储器，具有2兆字节的双组闪存、高达1兆字节的RAM(包括192兆字节的TCM RAM、高达864兆字节的用户SRAM和4兆字节的备份SRAM)，以及连接到APB总线、AHB总线、，2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 STM32H757ZIY6TR提供三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率计时器、12个通用16位计时器、两个用于电机控制的PWM计时器、五个低功耗计时器、一个真随机数发生器(RNG)和一个加密加速单元。该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。它们还具有标准和高级通信接口。
32位Arm?Cortex?-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 KB数据
以及16KB的指令缓存;频率高达480 MHz，MPU，1027 DMIPS/
2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令
32位Arm32位Cortex-M4内核，带FPU、自适应实时加速器(ART加速器) 用于内部闪存和
外部存储器，频率高达240 MHz，MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1)和DSP指令存储器
2 MB闪存，支持边读边写
1 MB RAM：192 KB TCM RAM(包括64 KB ITCM RAM+128 KB DTCM RAM，用于时间关键型例程)，
864 KB的用户SRAM，以及备份域中4 KB的SRAM
双模式Quad SPI存储器接口，最高运行133 MHz
灵活的外部存储器控制器，最多支持32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSSDR SDRAM、NOR/NAND闪存
在同步模式下，内存时钟最高可达125 MHz
CRC计算单元安全
ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件
升级支持，安全访问模式通用输入/输出
多达168个具有中断功能的I/O端口
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC、逆变器、断路器
打印机和扫描仪
报警系统、视频对讲系统和HVAC
家用音频设备
移动应用程序、物联网
可穿戴设备：智能手表
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 156-WLCSP（4.96x4.64） | 包装 | 圆盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4，Cortex-M7 | 内核规格 | 32 位双核 |
| 速度 | 240MHz，480MHz | 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | I/O数 | 99 |
| 程序存储容量 | 2MB（2M x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 1M x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 23x16b; D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32 |
| HTSUS | 0000.00.0000 | 产品应用 | 高性能MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32H757ZIY6TR原理图
STM32H757ZIY6TR引脚图
STM32H757ZIY6TR封装
STM32H757ZIY6TR丝印
STM32H757ZIY6TR料号解释
