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BUK966R5-60E 发布时间 时间:2025/4/29 18:53:32 查看 阅读:2

BUK966R5-60E是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的功率MOSFET技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。其封装形式为TO-247-3,适合高电流和高散热需求的场景。
  该器件的最大额定电压为60V,能够满足多种低压系统的应用需求,同时具备快速开关特性和较低的栅极电荷,有助于提高系统效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:118A
  导通电阻(典型值):5mΩ
  栅极电荷(Qg):105nC
  最大工作结温:175℃
  封装类型:TO-247-3

特性

BUK966R5-60E具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  3. 高电流处理能力,支持高达118A的连续漏极电流。
  4. 采用TO-247-3封装,提供良好的散热性能。
  5. 工作温度范围广,能够在-55℃至+175℃的结温范围内稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  这些特性使得BUK966R5-60E成为高效功率转换应用的理想选择。

应用

BUK966R5-60E广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和工业电源。
  2. 电机驱动,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
  3. 负载开关和保护电路,在便携式设备和消费电子中实现精确的电源管理。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换级,用于将直流电转换为交流电。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  其高性能和耐用性使其非常适合要求严苛的应用环境。

替代型号

IRFB4110TRPBF, FDP5580N

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