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STF18NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 13:38:58 查看 阅读:3

STF18NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要用于需要高效率、高可靠性和高开关性能的功率转换应用,例如电源供应器、直流-直流转换器、电机控制和照明系统。STF18NM60N具有高击穿电压(600V)和高电流承载能力,适合中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):18A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大)
  功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STF18NM60N具备多项优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其600V的漏源击穿电压确保该器件适用于高电压环境,例如工业电源和电机驱动器。其次,18A的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。此外,STF18NM60N的导通电阻较低(最大0.22Ω),有助于减少导通损耗,提高系统效率。低导通电阻还意味着在相同电流下,MOSFET的发热更少,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  该器件采用TO-220FP封装,具有良好的散热性能,适合高功率应用。TO-220FP是一种无铅封装,符合RoHS环保标准。此外,STF18NM60N具有较强的抗雪崩能力和热稳定性,能够在极端工作条件下保持稳定运行。该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和开关电源(SMPS)。
  在可靠性方面,STF18NM60N经过严格的测试和验证,确保在各种工业和消费类应用中都能提供稳定的性能。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于高温和低温环境。

应用

STF18NM60N广泛应用于多种功率电子系统。在电源领域,它常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器,以实现高效的能量转换。在电机控制应用中,如电动工具、工业电机和家电,该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑,提供高效的电机驱动。此外,STF18NM60N也适用于LED照明系统,特别是在高功率LED驱动电路中,能够提供稳定的输出和高能效。在新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备,STF18NM60N也常用于功率开关部分。其高可靠性和热稳定性也使其适用于工业自动化设备和不间断电源(UPS)系统。

替代型号

STF20NM60ND, STF15NM60ND, STF18NM50N

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STF18NM60N参数

  • 其它有关文件STF18NM60N View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C285 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 50V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-10300-5