时间：2024/4/3 15:20:25
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STM32F205RGT6基于高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。STM32F205RGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator?)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark?基准测试验证。STM32F205RGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。
·核心:Arm?32位Cortex?-M3 CPU (120 MHz
max)与自适应实时加速器(ART . max)
加速器?)允许0等待状态执行闪存、MPU、
150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
·记忆
—最大1mbyte的Flash内存
—512字节OTP内存
-最大128 + 4kbytes的SRAM
-灵活的静态内存控制器
支持Compact Flash, SRAM, PSRAM，NOR和NAND存储器
- LCD并口，8080/6800模式
时钟、复位和供应管理
- 1.8 ~ 3.6 V应用供电+ I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- 4至26 MHz晶体振荡器
-内部16 MHz工厂修剪RC
- 32 kHz振荡器的RTC校准
-内部32 kHz RC校准
?低功耗模式
-睡眠、停止和待机模式
- VBAT提供RTC, 20 × 32位备份
寄存器，和可选的4kbytes备份SRAM
3 × 12位，0.5μs adc，最多24通道
和多达6个MSPS在三重交错模式
2 × 12位D/A转换器
?通用DMA: 16流控制器
具有集中式fifo和突发支持
最多17个计时器
-多达12个16位和两个32位定时器，
高达120兆赫，每个最多4
IC/OC/PWM或脉冲计数器
正交(增量)编码器输入
?调试模式:SWD、JTAG、
Cortex?-M3 Embedded Trace Macrocell?
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-64_10x10x05P | 包装 | 整包装 |
STM32F205RGT6原理图
STM32F205RGT6引脚图
STM32F205RGT6封装
