FQP18N50V2 时间：2025/7/24 19:03:12 阅读：4

FQP18N50V2是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产。这款MOSFET设计用于高电压、高电流的应用场合，具备良好的导通电阻和开关性能，适合用于电源转换、电机控制、负载开关等场景。FQP18N50V2采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：18A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FQP18N50V2具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压应用环境，例如电源适配器、电机驱动器和DC-DC转换器等。该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率和响应速度。此外，FQP18N50V2具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，保证系统的可靠性。其TO-220封装形式也便于安装和散热管理，适用于需要高功率密度的设计。飞兆半导体的这一系列产品通常具有较高的耐用性和抗干扰能力，适合工业和消费类电子产品使用。
　　FQP18N50V2还具备过载和短路保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的自我保护，延长器件的使用寿命。同时，其简单的栅极驱动要求也使得设计更加灵活，适用于多种电路拓扑结构。

应用

FQP18N50V2广泛应用于各种高电压、高电流的电子设备中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关。在这些应用中，FQP18N50V2可以作为主开关器件或负载开关，提供高效的功率控制解决方案。此外，它也常用于逆变器、UPS（不间断电源）系统以及智能电网设备中，以实现高效率的能源转换。