FSH4913MD 时间：2025/8/25 2:11:49 阅读：2

FSH4913MD 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于各种高效率电源转换应用。FSH4913MD 采用 8 引脚 DFN 封装，尺寸紧凑，适合在空间受限的电路中使用。该器件的工作电压为 100V，最大连续漏极电流可达 8A，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.025Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：0.035Ω @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：8-DFN

特性

FSH4913MD 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 0.025Ω，在 Vgs=4.5V 时也仅增加到 0.035Ω，表明其在较低的栅极驱动电压下依然保持良好的性能。
　　其次，该 MOSFET 使用了先进的沟槽结构技术，提高了器件的开关速度和稳定性，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，FSH4913MD 的栅极电荷量（Qg）较低，进一步提升了其在高频应用中的表现。
　　封装方面，FSH4913MD 采用 8 引脚 DFN 封装，具有良好的热性能和紧凑的体积，适合用于便携式设备和空间受限的电路设计中。该封装还提供了优异的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该器件的可靠性也值得称道，其具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。此外，FSH4913MD 的栅极具有 ±20V 的耐压能力，使其在驱动电路中不易受到损坏，提高了整体系统的可靠性。

应用

FSH4913MD 广泛应用于多种电源管理系统中，特别是在需要高效能和紧凑设计的场合。其主要应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及马达控制电路等。
　　在同步整流器中，FSH4913MD 可以替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降和功率损耗，提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，由于其低导通电阻和快速开关特性，使得 FSH4913MD 成为高频率开关应用的理想选择。
　　作为负载开关使用时，FSH4913MD 能够有效地控制电源分配，提供快速的开关响应并减少静态电流消耗，适用于移动设备中的电源管理模块。
　　此外，在电池管理系统中，FSH4913MD 可用于电池充放电控制，确保电池组在安全范围内工作，延长电池寿命。在小型马达控制应用中，该器件能够提供可靠的开关性能，适用于无人机、机器人、电动工具等设备。