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IRL3103D1STRL 发布时间 时间:2025/6/24 8:32:11 查看 阅读:6

IRL3103D1STRL 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理应用。其主要特点包括低开启电压、高效率以及出色的热稳定性。这种MOSFET广泛应用于直流电机驱动、负载切换、降压转换器以及其他需要高效功率传输的场合。
  该型号中的‘IRL’前缀表示其为逻辑电平MOSFET,意味着其栅极阈值电压较低,适合与微控制器或数字IC直接连接。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:24A
  最大功耗:76W
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  栅极电荷:59nC
  总电容:250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRL3103D1STRL 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为1.8毫欧姆,这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗。此外,其快速的开关速度有助于减少开关损耗并提高系统效率。由于其采用了DPAK封装,该器件具有较好的散热性能,从而可以承受较高的结温。
  该MOSFET的栅极阈值电压较低,通常在1V到2V之间,因此非常适合用于低压环境下的电路设计。此外,其反向传输电容较小,进一步增强了开关性能。总体来说,这款器件以其卓越的电气特性和可靠性成为许多功率电子应用的理想选择。

应用

IRL3103D1STRL 的典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 直流无刷电机控制
  2. 汽车电子中的负载切换
  3. 工业自动化设备中的功率转换
  4. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  5. 笔记本电脑及平板电脑适配器
  6. LED驱动器
  7. 各类便携式电子设备中的电池管理
  由于其具备强大的电流处理能力,这款MOSFET也特别适合于大功率密度的应用场景。

替代型号

IRL3103PBF, IRL3103TRPBF

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IRL3103D1STRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)