时间：2025/6/16 19:43:12
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JSM45N03C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
JSM45N03C的额定电压为30V，能够承受较高的漏源极电压，并且具备良好的热稳定性和可靠性。该器件采用行业标准的封装形式，便于设计和安装。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：48nC（最大值）
总功耗(Ptot)：190W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
JSM45N03C具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力，支持高达45A的连续漏极电流。
4. 良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
6. 高可靠性设计，适用于工业级和商业级应用。
JSM45N03C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
4. 电池保护和管理系统。
5. 逆变器和UPS系统。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP45NF03L
FDPF45N03L
