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STL65DN3LLH5 发布时间 时间:2025/7/23 0:13:37 查看 阅读:9

STL65DN3LLH5 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款智能功率模块(IPM),专为电机控制和工业自动化等高可靠性应用设计。该模块集成了6个IGBT功率晶体管、驱动电路和保护功能,能够提供高效的功率转换和稳定的运行性能。

参数

类型:智能功率模块(IPM)
  拓扑结构:三相桥式
  最大集电极电流:65A
  最大阻断电压:600V
  导通压降:约1.55V(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:LQFP-48
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)
  栅极驱动电压:15V

特性

STL65DN3LLH5 具备高性能和高可靠性,适用于各种电机控制应用。该模块内置的IGBT晶体管具有低导通压降和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  其集成的栅极驱动电路可确保每个IGBT的驱动信号同步并具有足够的驱动能力,从而优化开关性能并减少电磁干扰(EMI)。此外,模块还配备了多种保护功能,包括过流保护、过温保护和欠压锁定,确保系统在异常条件下能够自动关闭,防止器件损坏。
  STL65DN3LLH5 采用紧凑的LQFP-48封装,具有良好的热管理和散热性能,能够在高环境温度下稳定工作。这种设计不仅提高了模块的耐用性,还简化了PCB布局和散热设计。

应用

STL65DN3LLH5 主要用于工业电机驱动、伺服电机控制、电动车辆逆变器、太阳能逆变器以及各种工业自动化设备。其高集成度和强大的保护功能使其在高性能电机控制领域具有广泛的应用前景。

替代型号

STL60N3LLH5, STL90N3LLH5, FSBB20CH60CT

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STL65DN3LLH5参数

  • 其它有关文件STL65DN3LLH5 View All Specifications
  • 特色产品STripFET? Series V Power MOSFETs
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列STripFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PowerFlat?(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10881-6