时间：2025/9/1 10:41:50
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IS61WV20488BLL-10TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件的容量为256K x 8位，工作电压为3.3V，适用于需要高速数据访问和稳定性能的应用场景。该芯片采用TSOP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在各种工业和通信设备中使用。
容量：256K x 8位
电压：3.3V
访问时间：10ns
封装：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：54-Pin
组织方式：256K x 8
输入/输出类型：异步
最大工作频率：100MHz（基于访问时间计算）
IS61WV20488BLL-10TLI 具有高速存取能力，其访问时间为10ns，确保了在高性能系统中的快速数据处理能力。该器件的低功耗设计使其适用于对功耗敏感的应用场景，例如便携式工业设备和嵌入式系统。此外，该SRAM芯片采用CMOS技术制造，具有较高的可靠性和较长的使用寿命。
其TSOP封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB布局中使用。该芯片的工业级温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定工作，适用于工业控制、通信设备、网络设备等应用场景。
另外，该SRAM器件具备异步控制信号，使其能够灵活地与多种微处理器和控制器配合使用，简化了系统设计并提高了兼容性。
IS61WV20488BLL-10TLI 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的场合。典型应用包括路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制器中的高速存储、嵌入式系统的程序和数据存储、通信模块中的高速缓存以及各种需要快速响应的实时系统。由于其工业级温度范围和高可靠性，该器件也非常适合在自动化设备、测试设备和车载电子系统中使用。
IS61WV20488BLL-10TLI 可以被以下型号替代：IS61WV20488BLL-12TLI（访问时间稍长）、CY62148EVLL-10ZS、IDT71V416S，具体替代方案需根据实际应用需求进行评估。
