您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STL60P4LLF6

STL60P4LLF6 发布时间 时间:2025/7/19 3:06:50 查看 阅读:8

STL60P4LLF6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高功率应用领域,例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和工业自动化系统。该器件采用了先进的沟道技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,以满足现代高效能电子系统的需求。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
  功耗(Ptot):300W
  导通电阻(Rds(on)):≤4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装类型:PowerFLAT 5x6 HV
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

STL60P4LLF6 功率MOSFET具有多个关键特性,使其适用于高性能功率转换系统。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件支持高达120A的连续漏极电流,使其能够承受高负载条件下的电流冲击。
  其次,该MOSFET采用先进的沟槽式技术,提供了优异的热稳定性和可靠性,同时在高频率下也能保持稳定的性能。这使其非常适合用于开关频率较高的应用,如同步整流器、DC-DC转换器以及电池管理系统。
  其封装形式为PowerFLAT 5x6 HV,具有较小的尺寸,适用于高密度PCB布局设计。此外,该封装支持高效的热管理,有助于热量的快速散发,从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
  STL60P4LLF6 的栅极驱动电压范围较宽,可在+10V至+20V之间工作,便于与多种栅极驱动IC兼容。同时,该器件具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力,增强了在严苛工况下的耐用性。

应用

STL60P4LLF6 广泛应用于多个高功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. **电源管理**:如DC-DC转换器、负载开关、电源模块等,因其低导通电阻和高电流能力,可显著提升能效。
  2. **电机控制与驱动器**:适用于电动工具、工业自动化设备和机器人中的电机驱动电路,提供高效、稳定的开关性能。
  3. **汽车电子**:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)、车载逆变器等,满足汽车应用中对可靠性和热管理的严苛要求。
  4. **工业自动化与控制系统**:如PLC、伺服驱动器和工业电源,适合用于需要高可靠性和高效率的工业环境。
  5. **消费类电子产品**:如高性能电源适配器、UPS系统和大功率LED驱动电路等,支持紧凑型设计的同时保证系统稳定运行。

替代型号

STL80P4LLF6, STL150P4LLF6, IPB60P4LLF6, STW60P4LLF6

STL60P4LLF6推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STL60P4LLF6资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STL60P4LLF6参数

  • 现有数量15,313现货
  • 价格1 : ¥13.04000剪切带(CT)3,000 : ¥5.95453卷带(TR)
  • 系列STripFET? F6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA(最小)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3525 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN