时间：2025/8/13 8:41:43
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LMBT9018LT1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型高频晶体管，广泛用于射频（RF）和低噪声放大应用。该晶体管具有良好的高频性能和低噪声系数，适用于无线通信、广播接收器和测试设备等领域。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大集电极-基极电压：30 V
最大基极电流：5 mA
最大功耗：300 mW
频率：250 MHz
增益带宽积：100 MHz
噪声系数：1.5 dB
封装类型：SOT-23
LMBT9018LT1G晶体管具有出色的高频性能和低噪声系数，适用于各种射频和低噪声放大应用。其NPN结构使其在高频下具有良好的增益和稳定性。
该晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够承受较高的电压和电流负荷。其最大功耗为300 mW，适用于低功耗应用。
此外，LMBT9018LT1G的增益带宽积为100 MHz，频率响应高达250 MHz，适用于高频信号放大。其噪声系数为1.5 dB，能够提供较低的噪声性能，适合用于低噪声放大器设计。
该晶体管采用SOT-23封装，体积小，便于在高密度电路中使用。
LMBT9018LT1G广泛应用于射频放大器、低噪声放大器、无线通信设备、广播接收器和测试设备等领域。其高频性能和低噪声系数使其成为射频前端设计的理想选择。
BC847, BFQ540
