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SCH2080KEC 发布时间 时间:2025/12/25 11:36:42 查看 阅读:10

SCH2080KEC是一款由Skyworks Solutions, Inc. 生产的高性能硅PIN二极管,专为射频(RF)和微波应用设计。该器件采用表面贴装封装技术,具有紧凑的尺寸和优异的高频特性,适用于需要高功率处理能力、低插入损耗和快速开关速度的应用场景。SCH2080KEC广泛用于通信系统中的开关、衰减器、限幅器以及保护电路等关键位置。其结构基于硅半导体材料,通过优化的掺杂工艺实现了良好的载流子寿命控制,从而在保持高效率的同时具备出色的线性度和可靠性。该二极管能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级和商业级环境使用。此外,SCH2080KEC符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于现代电子产品的制造要求。
  此型号特别适用于需要在高频下实现高效能切换或信号调节的应用,例如蜂窝基站、无线基础设施、雷达系统、测试测量设备以及航空航天电子系统。由于其优良的热稳定性和抗静电能力,SCH2080KEC也常被用于高可靠性要求的场合。制造商Skyworks提供了完整的技术文档支持,包括详细的数据手册、应用指南和SPICE模型,便于工程师进行电路仿真与设计验证。整体而言,SCH2080KEC是一款集高性能、高可靠性和良好兼容性于一体的射频PIN二极管,是现代高频电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

参数

类型:PIN二极管
  封装形式:SOD-323
  最大反向电压:80V
  最大平均整流电流:200mA
  最大峰值重复反向电压:80V
  正向电压(IF=10mA):典型值1.1V
  反向恢复时间:≤10ns
  结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  工作频率范围:DC至GHz级别

特性

SCH2080KEC作为一款高性能硅PIN二极管,具备多项卓越的技术特性,使其在射频与微波领域中表现出色。首先,其采用先进的硅外延工艺制造,确保了高度一致的电气性能和长期工作的稳定性。该器件的核心优势之一是其极低的正向导通压降,在典型工作条件下(IF=10mA),正向电压仅为约1.1V,这有助于降低功耗并提高整体系统效率。同时,它具有较高的最大反向耐压能力(80V),能够在高压瞬态环境下提供可靠的隔离性能,适用于多种电源切换和保护电路设计。
  其次,SCH2080KEC拥有非常短的反向恢复时间(≤10ns),这意味着它可以在高频开关应用中迅速响应状态变化,显著减少开关损耗和信号失真。这一特性对于构建高效的射频开关和高速调制电路至关重要。此外,该二极管在高频下的低插入损耗和高隔离度表现优异,能够在GHz级别的频率范围内维持良好的信号完整性,适用于宽带通信系统的前端模块设计。
  再者,SCH2080KEC采用SOD-323小型表面贴装封装,不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,提升了制造效率。该封装具备良好的散热性能和机械强度,能够在恶劣环境条件下保持稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应极端温度变化,适合工业、军事及户外设备使用。此外,该器件符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,满足现代电子产品对环保法规的严格要求。
  最后,SCH2080KEC具备较强的抗静电放电(ESD)能力,能够在装配和使用过程中有效抵御静电冲击,提升产品良率和使用寿命。综合来看,这款PIN二极管以其优异的高频响应、高可靠性、小尺寸和环保特性,成为无线通信、雷达、测试仪器等领域中理想的射频控制元件。

应用

SCH2080KEC广泛应用于各类高频电子系统中,尤其适用于需要精确控制射频信号路径的场景。在无线通信基础设施中,它常用于蜂窝基站的天线开关模块(ASM)、双工器旁路电路以及可变衰减器单元,实现发射与接收通道之间的高效切换,并提供良好的隔离性能以防止信号干扰。此外,在微波点对点通信链路中,该二极管可用于构建宽带RF开关网络,支持多频段操作和动态信道选择。
  在雷达和电子战系统中,SCH2080KEC被用作限幅器或保护电路的一部分,能够在强电磁脉冲或高功率干扰信号出现时快速响应,保护后端敏感的低噪声放大器(LNA)免受损坏。其快速反向恢复特性和高功率承受能力使其非常适合此类高可靠性要求的应用。
  在测试与测量设备方面,如矢量网络分析仪(VNA)、频谱仪和信号发生器中,该器件可用于内部校准开关矩阵或信号路由控制,确保测量精度和系统灵活性。其稳定的电气参数和低寄生效应有助于维持高频测量的准确性。
  此外,SCH2080KEC也可用于卫星通信终端、航空电子设备、物联网(IoT)网关以及工业无线传感器网络中的射频前端设计。由于其小型化封装和高集成度特点,非常适合空间受限的便携式或嵌入式设备使用。总体而言,该器件凭借其优异的高频性能和环境适应能力,已成为现代射频系统中不可或缺的关键组件之一。

替代型号

SMS7630\nSMS7621\nBAR64-03W

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SCH2080KEC参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)117 毫欧 @ 10A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 4.4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)106 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1850 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)262W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3