时间：2025/8/5 18:24:56
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IXFT88N28P是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率应用，具有低导通电阻和优异的热性能。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：280V
最大漏极电流（Id）：88A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
最大功耗（Pd）：310W
工作温度范围：-55°C至150°C
IXFT88N28P具有低导通电阻，可以减少功率损耗并提高效率。其高电流处理能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能。
此外，IXFT88N28P具备出色的雪崩能量吸收能力，确保在高应力条件下可靠运行。其设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET的封装符合RoHS标准，适用于现代绿色电子设备的设计。
IXFT88N28P广泛应用于电源转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备等高功率电子系统中。
IXFH88N28P, IRFP4668
