STL40N10F7 时间：2025/7/22 14:53:33 阅读：14

STL40N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流和高效率应用设计，广泛应用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等场合。STL40N10F7采用了先进的沟道技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，从而降低了功率损耗，提高了整体系统效率。其封装形式为TO-220，适用于多种工业级和汽车级应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：40A（在Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为13.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3

特性

STL40N10F7 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于在高电流应用中减少导通损耗，提高能效。其导通电阻在Vgs=10V时仅为13.5mΩ，使得该MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的温升。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠工作，满足工业和汽车电子应用的严苛要求。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提供更快的开关速度和更低的开关损耗，使其适用于高频开关电源和电机控制应用。其最大漏极电流可达40A，在适当的散热条件下可支持高功率密度设计。
　　STL40N10F7 还具有良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的鲁棒性。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于多种标准PCB安装工艺。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

应用

STL40N10F7 主要应用于高功率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及汽车电子设备中。在电源转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换；在电机驱动电路中，其高电流能力和低导通电阻有助于提升驱动效率和动态响应性能。此外，该器件也可用于工业自动化设备、LED照明驱动和电池管理系统（BMS）等高要求应用场景。