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STL40N10F7 发布时间 时间:2025/7/22 14:53:33 查看 阅读:6

STL40N10F7 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流和高效率应用设计,广泛应用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等场合。STL40N10F7采用了先进的沟道技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,从而降低了功率损耗,提高了整体系统效率。其封装形式为TO-220,适用于多种工业级和汽车级应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A(在Tc=100℃)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为13.5mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Ptot):160W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-220
  引脚数:3

特性

STL40N10F7 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于在高电流应用中减少导通损耗,提高能效。其导通电阻在Vgs=10V时仅为13.5mΩ,使得该MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的温升。此外,该器件具有出色的热稳定性,能够在较高的环境温度下可靠工作,满足工业和汽车电子应用的严苛要求。
  该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构,提供更快的开关速度和更低的开关损耗,使其适用于高频开关电源和电机控制应用。其最大漏极电流可达40A,在适当的散热条件下可支持高功率密度设计。
  STL40N10F7 还具有良好的短路耐受能力,增强了系统在异常工作条件下的鲁棒性。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适用于多种标准PCB安装工艺。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。

应用

STL40N10F7 主要应用于高功率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及汽车电子设备中。在电源转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,实现高效的能量转换;在电机驱动电路中,其高电流能力和低导通电阻有助于提升驱动效率和动态响应性能。此外,该器件也可用于工业自动化设备、LED照明驱动和电池管理系统(BMS)等高要求应用场景。

替代型号

STP40NF10, FDP40N10, IRF1405, STL40N10

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STL40N10F7参数

  • 现有数量2,988现货
  • 价格1 : ¥14.23000剪切带(CT)3,000 : ¥6.49769卷带(TR)
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1270 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),70W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN