时间：2025/8/6 5:35:42
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DSEP2X61-04C是一款由Diodes Incorporated生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了两个独立的NPN晶体管，通常用于需要高增益、高速度和良好稳定性的模拟和数字电路应用。DSEP2X61-04C采用小型化的表面贴装封装形式，适合在空间受限的电路设计中使用。
晶体管类型：NPN
配置：双晶体管（两个独立NPN）
最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
DSEP2X61-04C具有优异的电气性能和稳定的可靠性，适合广泛的应用场景。该器件的两个NPN晶体管在电气特性上具有高度的一致性，适用于需要匹配性能的电路设计，如差分放大器和电流镜。其高增益特性使其在低噪声放大和信号处理中表现出色。此外，DSEP2X61-04C采用了小型化的表面贴装封装，节省电路板空间，同时便于自动化生产与装配。该器件的耐温范围较广，能够在极端环境下保持稳定工作。
在电气参数方面，DSEP2X61-04C的集电极-发射极电压最大为40V，能够满足大多数低压和中压电路的需求。集电极最大电流为100mA，适用于中等功率的信号放大和开关应用。其增益带宽积高达100MHz，使得该器件能够在高频应用中保持良好的响应特性。电流增益（hFE）范围为110至800，具体值随工作电流的不同而变化，用户可根据实际应用需求选择合适的偏置条件。DSEP2X61-04C的封装设计支持高密度电路布局，同时具备良好的散热性能，确保长时间工作的可靠性。
DSEP2X61-04C适用于多种电子电路设计，包括信号放大器、逻辑电平转换、驱动电路、开关电源和传感器接口等。由于其双晶体管结构和良好的匹配性能，该器件常用于差分放大器和电流镜电路。此外，DSEP2X61-04C还广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
MMBT2222A, 2N3904, BC547
