时间：2025/5/12 11:25:36
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CBG201209U200T 是一款高功率密度的 GaN（氮化镓）基电力电子芯片，适用于高频开关应用。该芯片采用先进的封装技术，能够在高电压和高频率条件下保持高效的能量转换。它主要应用于电源管理、电动汽车充电设备以及工业电源系统中。
这款芯片结合了低导通电阻和快速开关速度的优势，从而显著降低了功率损耗并提高了整体效率。其设计使得它可以轻松集成到复杂的电力电子系统中，同时支持更高的工作温度范围。
型号：CBG201209U200T
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：200 A
导通电阻：1.2 mΩ
栅极电荷：80 nC
开关频率：超过2 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-4L
CBG201209U200T 芯片具备出色的电气性能和可靠性。其核心特点包括：
1. 高效的能量转换能力，得益于低导通电阻和快速开关特性。
2. 支持高达 650V 的工作电压，适合高压应用场景。
3. 高达 2MHz 的开关频率，可实现更小尺寸的磁性元件和滤波器设计。
4. 内置过温保护和短路保护功能，增强了系统的安全性。
5. 使用增强型 GaN 技术，具有更好的热稳定优化的寄生参数设计，进一步降低开关损耗。
7. 可靠的 TO-247-4L 封装形式，便于散热和安装。
CBG201209U200T 主要用于需要高效功率转换和高频操作的应用场景，具体包括：
1. 数据中心服务器电源模块。
2. 新能源汽车车载充电器（OBC）及 DC/DC 转换器。
3. 工业级高功率密度电源适配器。
4. 太阳能逆变器中的功率调节系统。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品中的电源管理电路。
6. 不间断电源（UPS）系统中的功率级组件。
7. 高端音频功放设备中的开关电源部分。
CGH120065A, STGAP200H65B, Infineon CoolGaN 200AG065A
