BSC027N04LSG 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的薄晶圆技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的功率转换应用。其封装形式为TO-Leadless (TOLL),是一种无引脚封装,有助于提高散热性能并减少寄生电感。这种MOSFET广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子领域。
型号:BSC027N04LSG
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):2.7mΩ
Id(连续漏极电流):119A
栅极电荷:53nC
结温范围:-55℃ to 175℃
封装:TOLL(TO-Leadless)
BSC027N04LSG 具有非常低的导通电阻Rds(on),仅为2.7毫欧,这使其在大电流应用中能够显著降低功耗。
此外,它具备快速开关能力,栅极电荷较小(53nC),能够在高频电路中保持较高的效率。
该器件支持较宽的结温范围(-55℃至175℃),适用于恶劣环境下的工作需求。
TOLL封装进一步优化了热性能,并减少了封装内的寄生电感,从而提升了整体系统可靠性。
此款MOSFET还具有出色的雪崩能力和静电防护性能,增强了产品的耐用性。
BSC027N04LSG 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- 电动工具中的电机驱动
- 汽车电子系统的负载切换
- 工业自动化中的逆变器和转换器
- 笔记本适配器和其他便携式设备的充电解决方案
- 不间断电源(UPS)系统中的功率管理模块
由于其优异的电气特性和热性能,这款MOSFET特别适合需要高效率、高可靠性的设计场景。
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