HB6293B 时间：2025/12/28 12:03:41 阅读：12

HB6293B是一款由华邦电子（Winbond Electronics）推出的高性能、低功耗的串行外设接口（SPI） NOR型闪存芯片。该器件广泛应用于需要可靠、快速非易失性存储的嵌入式系统中，例如消费类电子产品、工业控制设备、网络设备以及汽车电子模块等。HB6293B提供高密度存储容量，采用小型封装形式，适合对空间要求严格的便携式设备设计。该芯片支持标准SPI和快速SPI操作模式，具备良好的兼容性和灵活性，能够在多种主控处理器平台上稳定运行。其内部结构基于浮栅MOSFET技术，确保数据在断电后仍能长期保存，典型数据保持时间可达20年。此外，HB6293B集成了多种保护机制，包括软件和硬件写保护功能，有效防止因误操作或异常情况导致的数据损坏。芯片工作电压范围通常为2.7V至3.6V，适用于3.3V电源系统，并具备低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。HB6293B还支持扇区擦除、块擦除和全片擦除等多种擦除方式，配合字节编程功能，满足复杂应用场景下的灵活数据管理需求。

参数

型号：HB6293B
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128Mbit (16MB)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOP8 / WSON8
　　时钟频率：最高支持104MHz
　　读取电流：典型值 8mA（连续读取）
　　编程/擦除电流：典型值 15mA
　　待机电流：典型值 1μA
　　写保护功能：支持软件与硬件WP引脚保护
　　擦除方式：按扇区（4KB）、块（64KB）、整片擦除
　　编程方式：按字节或页（最大256字节/页）
　　耐久性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20年（典型值）

特性

HB6293B具备出色的读写性能与稳定性，支持高速连续读取模式，在104MHz时钟频率下可实现高效的指令传输速率，显著提升系统启动速度和程序执行效率，尤其适用于需要XIP（Execute In Place）功能的应用场景，即直接在闪存中运行代码而无需加载到RAM，从而节省系统资源并加快响应速度。
　　该芯片内置先进的电源管理机制，具备多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至1μA以下，极大延长了移动设备和物联网终端的电池寿命。
　　为了增强数据安全性，HB6293B提供了多层级写保护策略，用户可通过状态寄存器设置特定区域的只读属性，同时利用硬件WP引脚实现物理级写保护，防止关键固件被意外修改。
　　此外，该器件支持JEDEC标准的制造商和设备ID读取指令，便于系统进行自动识别与配置，提升了开发调试的便利性。
　　HB6293B还具备优异的抗干扰能力和环境适应性，经过严格的老化测试和可靠性验证，可在工业级温度范围内稳定运行，适用于高温、高湿及电磁干扰较强的恶劣工作环境。
　　其制造工艺遵循绿色环保标准，符合RoHS和无铅要求，适用于全球市场的各类合规性认证产品设计。

应用

HB6293B广泛应用于需要大容量、高可靠性串行闪存的嵌入式系统中。常见用途包括作为微控制器单元（MCU）的外部程序存储器，用于存储启动代码、操作系统镜像、应用程序固件等；在智能家电中用于保存用户设置、运行日志和图形界面资源；在网络通信设备如路由器、交换机中用于存放固件和配置文件，支持远程升级（OTA）功能。
　　该芯片也常用于工业自动化控制系统，作为PLC模块或HMI人机界面的数据记录与程序载体，具备良好的实时性和耐用性。
　　在汽车电子领域，HB6293B可用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块、ADAS辅助驾驶系统的固件存储，满足车规级应用的部分环境要求。
　　此外，在物联网终端设备如智能电表、安防摄像头、无线传感器节点中，HB6293B凭借其小封装、低功耗和高集成度优势，成为理想的非易失性存储解决方案。
　　由于其支持快速读取和XIP功能，特别适合用于需要快速启动和高效执行代码的实时操作系统（RTOS）平台。