时间：2025/8/14 5:56:32
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GS1GWG_R2_00001 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，主要用于高功率射频应用，如无线基站、广播设备和工业加热设备等。该器件采用先进的高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，具有出色的功率输出、效率和可靠性。GS1GWG_R2_00001 在设计上优化了高频性能，能够在GHz级别的频段下稳定运行，是高性能射频放大器设计的理想选择。
类型：射频功率晶体管
晶体管类型：HEMT（高电子迁移率晶体管）
最大工作频率：约1.2 GHz
最大漏极电流（ID）：30 A
最大漏源电压（VDS）：125 V
输出功率：约1200 W（连续波）
增益：约18 dB
效率：约65%
封装类型：气腔陶瓷封装（Air Cavity Ceramic Package）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
GS1GWG_R2_00001 的主要特性包括高效的射频功率输出、高增益和良好的热稳定性。该器件在1.2 GHz左右的频率范围内表现出色，能够提供高达1200瓦的连续波输出功率，适用于高功率射频放大器设计。其高增益特性（约18 dB）减少了对前级放大器的要求，简化了系统设计。此外，GS1GWG_R2_00001 采用气腔陶瓷封装，有助于散热并提高热稳定性，从而延长器件的使用寿命。该晶体管还具有良好的线性度，能够在多种调制格式下保持信号完整性，适用于现代通信系统中的高效能需求。其高效率（约65%）也降低了系统的功耗和散热要求，提高了整体能效。
GS1GWG_R2_00001 主要用于高功率射频应用，包括无线基站、广播发射机、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器。其高功率输出和高效能特性使其成为4G/5G通信基础设施、广播电台和高功率射频放大器设计的理想选择。
GS1KWG_R2_00001, CLF1H12030S
