类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（标称值）：8.2V
　　齐纳电流（最大值）：5 mA
　　最大耗散功率：200 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-123
　　尺寸：2.7mm x 1.6mm x 1.1mm

HZM8.2NB1TR 是一款高性能的表面贴装齐纳二极管，具有良好的电压稳定性和重复性。其8.2V的齐纳电压适用于中等电压调节需求，能够在宽温度范围内保持稳定的电压参考。该器件的最大耗散功率为200 mW，具备一定的功率承受能力，适用于低功耗电路中的电压钳位和保护应用。
　　该齐纳二极管的SOD-123封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，并具有良好的热管理和焊接性能。由于其表面贴装结构，HZM8.2NB1TR 可用于自动化贴片工艺，提高生产效率并降低制造成本。
　　此外，HZM8.2NB1TR 具有较窄的电压容差，通常在±2%以内，确保了其在精密电压参考应用中的可靠性。该器件还具备良好的动态阻抗特性，有助于减少电压波动对系统性能的影响。在高温环境下，HZM8.2NB1TR 仍能保持良好的稳定性和长期可靠性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

HZM8.2NB1TR 主要应用于需要稳定电压参考或电压保护的电子电路中。常见应用包括：电源管理模块中的电压调节、电池充电器的电压钳位保护、信号调理电路中的参考电压源、嵌入式系统的电压监测电路以及各类传感器接口中的电压稳定电路。
　　在工业控制系统中，HZM8.2NB1TR 可用于保护微控制器或其他敏感器件免受电压波动的影响。在汽车电子系统中，该齐纳二极管可作为电压保护元件，防止因电源瞬变而造成的设备损坏。此外，该器件也可用于消费类电子产品中的稳压电路，如智能手表、无线耳机和便携式医疗设备。

MMZ8.2BAT1G, BZT52C8V2, MMSZ5246B