STL40DN3LLH5 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能双N沟道增强型功率MOSFET器件,采用先进的STripFET F7技术制造,具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件主要用于需要高效能功率转换和管理的应用,例如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理和电池充电系统等。STL40DN3LLH5采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,提供了良好的热管理和空间节省设计。
类型:双N沟道功率MOSFET
漏源电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):21A(在Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):14.8mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):21nC
工作温度范围:-55℃至175℃
封装:PowerFLAT 5x6
STL40DN3LLH5的主要特性之一是其超低的导通电阻(RDS(on)),这使得器件在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。这种低电阻特性在高频开关应用中尤为重要,因为它能够有效减少开关损耗并降低发热。此外,该器件采用了先进的STripFET F7技术,确保了优异的性能和可靠性。
另一个显著特点是其高电流承载能力。在标准测试条件下,STL40DN3LLH5可以支持高达21A的连续漏极电流,这使其非常适合需要高电流处理能力的功率应用。此外,该器件的栅极电荷(Qg)仅为21nC,有助于降低驱动电路的功耗,同时使得高频开关操作更加高效可靠。
STL40DN3LLH5的封装设计也极具优势。PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧,节省PCB空间,还具备良好的热性能,能够有效地将热量传导到PCB上,从而减少对外部散热片的需求。这种设计特别适合对空间和散热要求较高的应用,例如便携式电子设备、服务器电源系统和车载电子设备。
此外,STL40DN3LLH5的工作温度范围宽达-55℃至175℃,确保了在各种严苛环境条件下的稳定运行。这种宽温度范围的特性使其能够在工业级和汽车级应用中表现出色,尤其是在高温环境下需要长期稳定运行的系统中。综上所述,STL40DN3LLH5以其优异的电气性能、紧凑的封装设计和可靠的温度适应性,成为众多高性能功率管理应用的理想选择。
STL40DN3LLH5广泛应用于需要高效功率转换和管理的电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该器件的低导通电阻和高电流能力使其能够实现高效的电压转换,同时减少能量损耗和热量产生。这在便携式设备和服务器电源系统中尤为重要,因为这些设备对效率和散热有较高的要求。
在电机驱动器应用中,STL40DN3LLH5能够提供稳定的高电流输出,从而确保电机运行的平稳性和高效性。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)和车载充电系统。
此外,STL40DN3LLH5还常用于电源管理系统和电池充电器中。在这些应用中,该器件的高效能和紧凑封装使其能够适应高密度电路设计,同时提供稳定的功率输出。由于其卓越的热性能,STL40DN3LLH5可以在有限的散热条件下保持稳定工作,从而提高系统的整体可靠性。
在工业自动化和控制系统中,STL40DN3LLH5也扮演着重要角色。例如,在工业电源和负载开关应用中,该器件能够快速响应控制信号,实现高效的功率切换和保护功能。其低栅极电荷和高速开关特性使其非常适合需要快速动态响应的自动化设备。
IPD50N06S4-03, SiR340DP