时间：2025/5/10 17:25:51
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NTMFS4H013NFT1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 (D2PAK) 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。这种 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理领域。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：37nC
总电容（输入电容）：1320pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263 (D2PAK)
NTMFS4H013NFT1G 提供了极低的导通电阻以减少传导损耗，从而提高系统效率。
其高开关速度和低栅极电荷设计有助于降低开关损耗。
器件的热性能优越，适合高温环境下的功率应用。
采用了坚固耐用的设计，能够承受较高的雪崩能量。
符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，例如 DC-DC 转换器中的同步整流、负载开关控制、电机驱动电路以及电池保护等。
它也适用于工业和汽车领域的电源管理模块，例如电动车窗、电动座椅调节和电子助力转向系统。
此外，在消费类电子产品中，这款 MOSFET 可用于适配器、充电器和其他便携式设备的功率管理部分。
NTMFS4H013NFT1
IRF3205
FDP5500
AON7901
