型号：STK16C88-3WF35I
　　制造商：Renesas Electronics
　　产品类型：NVSRAM
　　存储容量：8 Kbit (1K x 8)
　　电压范围：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：35 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：28-SOIC
　　接口类型：并行
　　写周期时间：15 μs
　　待机电流：100 μA（最大）
　　读取电流：35 mA（典型）
　　非易失性存储耐久性：100万次存储/恢复操作
　　数据保持时间：非易失性存储区可达10年（断电状态下）
　　电源监控功能：具备上电/掉电电压监测及自动存储控制
　　引脚数：28
　　安装类型：表面贴装（SMD）

STK16C88-3WF35I 的核心特性之一是其集成的非易失性存储技术，能够在无需外部电池的情况下实现关键数据的可靠保存。该芯片内部包含一个专用的控制电路，持续监控系统电源电压。一旦检测到电压低于设定的阈值（通常约为 3.0V），便会立即启动自动存储（Autostore）过程，将 SRAM 中的数据复制到基于 EEPROM 或闪存技术的非易失性存储阵列中。这一过程由片内电荷泵提供能量，通常借助外接的小容量储能电容（如 0.1F~0.33F 的超级电容）供电，在主电源失效后的短时间内完成数据转储，确保数据完整性。
　　除了自动存储功能外，该器件还支持硬件触发的手动存储（Hardware Store）和软件命令触发的存储操作（Software Store），为系统设计提供了灵活的数据保护策略。用户可以通过拉低特定引脚（如HSB）来强制执行一次存储操作，或者通过写入特定指令序列激活软件存储。在系统重新上电后，芯片会在初始化过程中自动执行恢复（Recall）操作，将之前保存在非易失性区域的数据重新加载回 SRAM，使系统能够从断电前的状态继续运行，极大提升了系统的连续性和可用性。
　　该器件具备高速并行接口，支持 35ns 的快速访问时间，适合与微处理器、DSP 或 FPGA 等高速控制器直接连接，无需插入等待状态即可实现无缝通信。其 8位数据总线结构（D0-D7）和地址输入（A0-A9）使得寻址简单直观，易于集成到现有系统架构中。此外，STK16C88-3WF35I 具备低功耗待机模式，在未进行读写操作时显著降低功耗，有助于延长系统整体能效。工业级温度范围和高抗干扰能力使其能在严苛环境中稳定运行，满足多种行业标准。

STK16C88-3WF35I 广泛应用于各种需要在断电情况下保留关键运行数据的工业和商业系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和HMI（人机界面），这些设备通常需要保存最后的工作状态、配置参数或故障日志，以便在电源恢复后迅速恢复正常运行。在电信和网络设备中，该芯片可用于存储路由表、端口配置或系统校准数据，防止因意外断电导致配置丢失。
　　在医疗电子领域，STK16C88-3WF35I 可用于监护仪、分析仪器和成像设备中，用于保存患者设置、测量结果或设备校准信息，确保诊疗过程的连续性和安全性。金融终端设备如POS机、ATM和票据打印机也常采用此类 NVSRAM 来记录交易流水、批次号或未完成的操作指令，避免因突然断电引发账务错误或数据不一致问题。
　　此外，该芯片还适用于测试与测量仪器、航空电子设备、车载电子系统以及智能电表等对数据可靠性要求极高的场合。由于其无需更换电池的设计优势，减少了后期维护需求，特别适合部署在难以接触或远程位置的设备中。结合其高速读写能力和高耐用性，STK16C88-3WF35I 成为许多高端嵌入式系统中替代传统SRAM加EEPROM或电池供电SRAM方案的理想选择。

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