时间：2025/9/1 9:40:11
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IS61NLP51236-200B3LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款器件属于高性能的36位SRAM系列，适用于需要快速存取时间与高可靠性的应用。IS61NLP51236-200B3LI采用了先进的制造工艺，具有出色的稳定性和能效，适合用于网络设备、工业控制、嵌入式系统等对性能要求较高的场合。
容量：512K × 36位
组织结构：512K地址 × 36位数据
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：200MHz（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：165引脚塑料TSOP
数据输出类型：三态输出
功耗：典型工作电流约180mA（在200MHz下）
封装尺寸：14mm × 22mm
IS61NLP51236-200B3LI具备多项优异特性，使其在高性能存储系统中表现卓越。首先，该器件具有高速访问能力，最大访问频率可达200MHz，满足对实时数据处理要求高的应用场景。其次，它采用了低功耗CMOS技术，在高速运行的同时保持较低的功耗水平，非常适合便携式和节能型设备。
此外，IS61NLP51236-200B3LI的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备工业级温度耐受能力，适用于恶劣环境下的长期运行。其三态输出设计允许数据总线的共享，简化了系统设计并提高了灵活性。该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间，而且便于散热，提高了系统的稳定性和可靠性。
这款SRAM芯片还具备较高的抗干扰能力和稳定性，能够在高噪声环境下保持数据完整性，确保关键任务系统的正常运行。
IS61NLP51236-200B3LI广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的各类电子系统中。常见的应用包括网络路由器和交换机中的缓存存储器、工业控制系统中的实时数据处理单元、高端嵌入式系统的主存储器、测试与测量设备中的高速数据缓冲、通信设备中的协议处理模块等。
由于其高性能和高可靠性，该芯片也常用于航空航天、汽车电子、医疗设备等对稳定性和环境适应性有较高要求的领域。在这些应用场景中，IS61NLP51236-200B3LI能够提供快速、可靠的数据存储支持，帮助系统实现高效运行。
IS61NLP51236-200B4LI, CY62157EV30LL-200BZS, IDT71V41636J-200B8YI
