时间：2025/8/20 18:25:56
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STI22NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的MESH OVERLAY技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，适用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及照明系统等应用场景。STI22NM60N封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：22A（最大）
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、D2PAK
开启阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
STI22NM60N的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（600V），适用于高电压应用场景；具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作；内部结构优化设计，提升了抗雪崩能力和短路耐受能力；栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和15V驱动电路；采用环保材料制造，符合RoHS标准。
此外，该器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其封装形式具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。STI22NM60N还具备较低的输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr），有利于提高开关速度和降低驱动损耗。
STI22NM60N常用于各类功率电子设备中，如AC-DC开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、照明镇流器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及电动汽车充电模块等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效、可靠的功率开关功能，尤其适用于需要高耐压和大电流能力的场合。
STW22NM60N, STP22NM60N, FQA24N60C, FDPF22N60
