STH9N80FI 时间：2025/7/23 9:50:48 阅读：8

STH9N80FI 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率和高频率应用。这款MOSFET具有优异的导通电阻和高耐压能力，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等多种电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：9A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：800V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STH9N80FI MOSFET具备多项卓越特性，使其在高压和高功率环境下表现出色。其最大漏极-源极电压可达800V，适用于高电压输入的应用环境，如工业电源和开关电源。该器件在10V栅极电压下的导通电阻仅为0.85Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其最大漏极电流为9A，能够在高电流负载条件下稳定工作。
　　该MOSFET采用TO-220FP封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境中使用。其栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，增强了与不同驱动电路的兼容性。同时，STH9N80FI具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器电路。
　　此外，该器件还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护，提高系统的可靠性和稳定性。

应用

STH9N80FI广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、电机驱动、电池充电器、DC-DC转换器、逆变器、负载开关和工业自动化控制系统。其高耐压和高电流能力使其在高压电源转换器中表现出色，能够满足各种高效能电源设计的需求。在电机控制应用中，它能够承受较高的瞬态电流，确保电机运行的稳定性和可靠性。此外，STH9N80FI也可用于LED照明驱动、UPS（不间断电源）系统以及新能源设备中的功率控制部分。