STH75N06 时间：2025/7/23 9:10:03 阅读：8

STH75N06 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电流、高功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等多种功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

STH75N06 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流工作条件下能有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了良好的电气性能和热性能。此外，STH75N06具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于各种恶劣工作环境。
　　该MOSFET的栅极设计具有较强的抗干扰能力，能够在高频开关应用中保持稳定工作。同时，其封装形式（如TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计场景。STH75N06还具备快速开关特性，适合用于高频DC-DC转换器、同步整流和电机控制等应用。
　　从可靠性角度看，STH75N06通过了多项工业级测试，确保在高温和高电流应力下仍能保持长期稳定运行。这使其成为工业电源、电动工具、电动车控制器和储能系统等领域的理想选择。